SK海力士4日宣布，公司联手闪迪（Sandisk）共同发布下一代存储技术高带宽闪存（HBF，High Bandwidth Flash）的首个标准规范。
此次发布正值当地时间8月4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉会展中心举办的「闪存峰会（Flash Memory Summit）2026」（以下简称「FMS 2026」）开幕。公司计划在峰会期间发表主题演讲并参与圆桌论坛，介绍HBF作为破解AI时代内存瓶颈的关键技术。
HBF是介于HBM和固态硬盘之间的新型存储层级，不仅具备与HBM类似的高速数据传输能力，还可基于NAND闪存大幅提升容量。在AI推理普及、数据处理需求激增的背景下，其高带宽与可扩展容量特性优势备受瞩目。
此次发布的标准规范，是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作，并于今年2月成立联盟后，历时约6个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级（Grade 1~3）设定带宽标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。
值得关注的是，HBF与处理器之间采用行业标准UCIe互联，为HBF与GPU、CPU等不同类型的处理器灵活连接奠定了基础。
此外，该规范涵盖互联接口与电气特性、HBF Die堆叠工艺的可靠性与封装指南，以及数据读写软件使用指南等内容。
该规范由全球最大的开放式数据中心技术合作组织OCP（Open Compute Project）正式发布，成为行业通用开放标准，而非企业私有标准。
以此为契机，公司计划加快HBF在AI存储市场的规模化落地，并加速构建生态体系。目前，HBF联盟已汇聚谷歌与Tenstorrent。未来，公司将继续依托开放合作，不断扩大生态体系，同时提升技术成熟度与市场接受度。
FMS 2026开幕首日（当地时间8月4日），SK海力士解决方案开发担当副社长金千成与下一代产品规划担当副社长姜郁成联合发表演讲，主题为「代理式人工智能时代下，基于阶层型存储器的高效AI基础设施构建」。随着代理式AI快速商业化，待处理数据规模激增，对处理速度和效率的要求也不断提高。在此背景下，单一存储器产品已难以满足需求，因此需要采用「分层内存（Tiered Memory）」架构，整合特性互补的多种存储器并协同优化。两位演讲者重点阐述了基于分层内存的下一代架构的必要性及发展方向。
当地时间8月6日，SK海力士Solution AT担当副社长林义哲、谷歌DeepMind研究员Xiaoyu Ma、闪迪副社长Rajeev Nagabhirava将展开圆桌讨论。这场汇聚全球内存、存储与AI领域三大企业代表的论坛，主题为「借助HBF突破内存墙」。三位嘉宾聚焦AI基础设施中存储器结构的变革，重点探讨HBF的作用与未来潜力。
与此同时，SK海力士将在FMS 2026设立展台，展示战略合作专区、下一代存储技术及Tech Session等内容。尤其值得注意的是，本次展会公司将首次公开目前开发进展顺利的第十代（V10）375层4D NAND闪存晶圆和产品。较上一代，其性能功耗比提升2.5倍，特别适用于对性能与能效要求极高的AI基础设施环境，例如数据中心。公司计划于明年初启动基于此NAND闪存的高性能、大容量企业级固态硬盘（eSSD）量产，进一步巩固其在AI时代NAND闪存市场的领先地位。
此外，公司还将展示面向移动终端、PC、汽车和机器人等多个领域的系列产品，全面呈现SK海力士引领AI时代的存储器技术优势以及客户合作成果。
金千成副社长表示：「AI应用的快速普及，正推动整个数据处理架构迎来重构的关键期。通过HBF，公司将突破内存与存储的边界，助力构建提升系统整体效率的新架构。」
