8月4日，研微（江苏）半导体科技有限公司通过官微宣布，其自主研发的SiC EPI设备再次交付国内上市公司客户。
据官方消息，研微 SiC EPI 设备凭借自研核心技术架构与出众外延生长性能，在第三代半导体制造领域展现巨大应用潜力，具有如下优势：
应用领域广泛：适配 6/8 英寸 SiC 晶圆，覆盖新能源汽车功率器件、储能变流器、工业电源等主流赛道，支持平面、沟槽类 SiC 外延量产工艺。
产品优势显著：产能提升 1.2‑1.4 倍，降低 CoO；仿真优化反应腔，保障晶圆膜厚、掺杂均匀及中边缘可调；软硬件多层安全互锁，机台稳定可靠安全。
量产价值突出：平台架构支持晶圆规格升级；标准化模块化便于运维备件，提升产线稼动率，优化产线综合成本。
研微方面表示，第三代半导体产业快速发展，SiC外延装备国产化需求高涨。作为第三代半导体制造的核心工艺，SiC外延直接影响SiC功率器件的电学性能、良率及产业化落地。本次复购订单，是客户产线长期量产验证后的高度认可，充分佐证研微SiC EPI设备在膜层均匀性、外延品质、整机稳定性、工艺兼容性方面的优异表现，以及优质的一体化配套服务能力。研微将着力打造高竞争力国产SiC外延装备，联动产业链伙伴构建自主可控的半导体产业生态，助力中国芯片产业高质量发展。
