6月26日，甬矽电子公告披露，公司拟投资建设“微电子高端集成电路IC封装测试三期项目”，计划总投资103亿元，建设地点位于浙江省宁波市余姚市，主要产品线覆盖BUMP（凸块）、2.5D、FC（倒装）、WB（引线键合）等品类，建设期96个月，资金来源为自有资金、银行贷款或其他自筹资金。本次投资尚需提交公司股东会审议，且存在土地使用权竞得、行政审批、市场变化等风险。
甬矽电子是国内聚焦中高端集成电路封测的核心厂商，2022年登陆科创板，现有余姚一期、二期封测基地均已投产，合计年产能超120亿颗，下游覆盖射频前端、AIoT、汽车电子、存储等赛道，近年持续向先进封装领域倾斜研发与产能资源，2024年已打通2.5D封装试验线并向存储、AI芯片客户送样验证。
此次三期项目将BUMP、2.5D等先进封装工序纳入核心产品线，直指当前AI算力爆发拉动的CoWoS类高端封装、HBM存储封装需求——2.5D是当前高端AI芯片、高性能计算芯片的核心封装方案，此前国内量产产能主要由长电科技、通富微电等龙头布局，甬矽此次加码，意在填补自身先进封装产能缺口，绑定下游客户的国产替代需求，完善“中高端+先进”的全梯队封测能力。
公告同时提示，项目建设周期长达8年，后续需完成土地竞得、行政审批等流程，面临技术迭代、客户需求波动、产能爬坡不及预期等风险，短期不会对公司经营业绩形成显著贡献，投资者需注意相关风险。（校对/邓秋贤）
