据市场调研机构测算数据，2026 年第二季度通用 DRAM 合约价环比大涨 58%~63%，NAND 闪存合约价环比涨幅达到 70%~75%；产业链业内人士透露，终端市场实际现货成交涨幅，已明显高于公开合约报价，存储现货紧缺程度进一步加剧。
投行杰富瑞（Jefferies）发布最新行业研报，上调存储芯片全年涨价预期，判断本轮涨价周期尚未结束。机构预测，2026 年三季度存储整体均价环比涨幅或冲高至 40%~50%，四季度将延续上涨态势，环比再涨 30%~40%；拉长周期维度，2027 年存储芯片全年均价相较 2026 年整体将抬升 40%~45%，长期上行趋势确立。
上述判断获得多家机构佐证，Aletheia Capital 在 6 月初出具的报告给出同向预判，其测算 DRAM 均价三季度环比攀升 30%，四季度将续涨 10%~15%，供需偏紧格局贯穿全年。
本轮存储价格持续走高核心源于 AI 算力带来的需求结构性爆发，叠加海外存储原厂产能持续向高毛利 HBM 倾斜，通用 DRAM、NAND 供给持续收缩，行业库存维持历史低位，原厂掌握强定价权。全产业链涨价压力同步传导至下游服务器、PC、消费电子厂商，云厂商、整机厂纷纷通过长协锁价锁定产能，进一步强化卖方市场格局。
