6月17日，三安光电在投资者互动平台披露公司磷化铟（InP）光芯片最新技术与产能进展，公司完整覆盖外延生长、芯片制造、封测全流程工艺，技术水平位居国内前列，现已实现6英寸InP光芯片规模化量产，同步完成核心外延环节大幅扩产。
InP磷化铟是高速光模块、数据中心光通信的核心基底材料，800G、1.6T高端光模块均高度依赖InP光芯片，此前大尺寸InP晶圆量产工艺长期存在较高技术壁垒。三安光电打通全链条自研工艺，具备成熟6寸产线量产能力，后续还将结合下游市场需求与客户订单，稳步推进InP晶圆向更大尺寸迭代升级，进一步摊薄单片芯片生产成本。
产能层面，公司现有光技术基础产能为2750片每月，针对核心的外延工艺环节实施专项扩产，当前外延产能已经提升至近6000片每月，产能规模实现翻倍增长。外延是InP芯片制造的核心前置工序，产能扩充将直接提升公司高速光芯片交付能力，匹配AI算力基础设施建设带来的光芯片增量需求。
当前全球算力网络建设提速，高端光模块需求持续上行，本土InP光芯片供给缺口显著。三安光电全链条自主工艺搭配扩充后的外延产能，可稳定向国内光模块厂商供应自研InP光芯片，有效缓解行业对外进口依赖，完善光通信上游核心材料自主供给体系。
国内算力产业链国产化进程加快，InP光芯片作为关键上游环节迎来增长窗口。三安光电依托领先工艺与翻倍外延产能，巩固本土InP芯片龙头地位，大尺寸晶圆研发规划也将持续打开长期成长空间，充分受益数据中心、AI算力光通信赛道高景气红利。
（校对/李正操）
